普林斯頓VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站

產(chǎn)品介紹

普林斯頓VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站

概要

        VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計基礎(chǔ)上的，進(jìn)行超高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng)。

普林斯頓VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站

       它是提供給電化學(xué)及材料測試以*空間分辨率的一個測試平臺。每個VersaSCAN都具有高分辨率，長工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計，壓電振動單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來控制，保證小信號的精確測量。

它 是一個模塊化配置的系統(tǒng)，可以實現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測試：

• Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡

• Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動電極測試

• Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測試

• Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測試

• Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測試

• Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試

以上每項技術(shù)使用不同的測量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測試的進(jìn)行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對探針位置作圖，針對不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對功函或者是表面形貌圖。

VersaSCAN SECM
Scanning ElectroChemical Microscopy 掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)

VersaSCAN SECM 整合了定位系統(tǒng)、兩臺VersaSTAT恒電位儀和錐形拋光的超微電極探針為一體。SECM多樣化的技術(shù)提供了高空間分辨率，可應(yīng)用于反應(yīng)動力學(xué)，生物傳感器，催化劑和腐蝕機理等研究。

• 兼容恒電位儀:  VersaSTAT 3F 和VersaSTAT 3/3F/4。

• 可進(jìn)行逼近曲線實驗包含“反饋”模式和“發(fā)生-采集”模式兩種成像模式。

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描，

• VersaSTATs 配置不同功能的操作軟件，能夠提供強大的成套的非掃描電化學(xué)測試，取決于其*的軟件模式。

VersaSCAN SVET
Scanning Vibrating Electrode Technique 掃描振動電極測量系統(tǒng)

VersaSCAN SVET 整合了定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和單絲探針。 SVET技術(shù)測量溶液中的電壓降。電解液中的電壓降是由樣品表面的局部電流所導(dǎo)致的。 SVET提供高分辨率可應(yīng)用于不均勻腐蝕，點蝕，焊接和電耦合等。此外，SVET還有生物方面的應(yīng)用。

• 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230

• 可進(jìn)行線掃描和面掃描

• 當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進(jìn)行時間分辨成像

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描， 

VersaSCAN LEIS
Localized Electrochemical Impedance System 微區(qū)電化學(xué)阻抗測試系統(tǒng)

VersaSCAN LEIS 整合了 定位系統(tǒng)和VersaSTAT 3F 及差分電壓選項, 靜電計，雙探頭探針。 LEIS技術(shù)是通過測量施加于樣品的交流電壓和由探針?biāo)鶞y量的溶液中交流電流的比值，來計算局部阻抗，LEIS加入高的空間分辨率，可應(yīng)用于有機涂層，裸露的金屬腐蝕，和所有和增加的交流技術(shù)相關(guān)的應(yīng)用。

• 恒電位儀：VersaSTAT 3F及差分輔助選項

• 可進(jìn)行固定頻率/掃描位置的數(shù)據(jù)成像，和固定位置/掃描頻率的Bode圖或者Nyquist圖。

• 當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進(jìn)行時間分辨成像

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描，

VersaSCAN SKP
Scanning Kelvin Probe 掃描開爾文探針系統(tǒng)

VersaSCAN SKP整合定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測量探針和樣品表面位置的相對功函差。這是一個非破壞的技術(shù)，可運行于環(huán)境氣氛，潮濕氣氛和無電解液情況下。相對功函已經(jīng)被證實與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應(yīng)用于材料，半導(dǎo)體，金屬腐蝕，甚至這些材料上的涂層。

• 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230

• 可進(jìn)行表面形貌測量，測量和設(shè)置探針和樣品間的距離。

• 使用同一探針，結(jié)合所進(jìn)行的表面形貌測量，進(jìn)行樣品表面定距離掃描。

VersaSCAN SDC
Scanning Droplet Cell 電解液微滴掃描系統(tǒng) 

VersaSCAN SDC 整合電位系統(tǒng)和一臺VersaSTAT,  一個機械加工的PTFE 滴液系統(tǒng)頭, 以及一個蠕動泵。SDC 技術(shù)對電解液微滴進(jìn)行電化學(xué)測量, 固定電極/電解液界面的面積。SDC提供高空間分辨率可應(yīng)用于動力學(xué)，腐蝕，流體研究和任何研究樣品表面微小面積而無需破壞樣品的應(yīng)用或者控制面積在不同電解液中的暴露時間的應(yīng)用。 

• 恒電位儀: VersaSTAT 3 / 3F /4

• 可進(jìn)行恒定電化學(xué)參數(shù)/位置掃描的數(shù)據(jù)成圖和固定位置/動態(tài)信號的繪圖，如循環(huán)伏安，塔菲爾, 電化學(xué)交流阻抗等。

• 可運行流動或者是靜止的電解液液滴。

VersaSCAN OSP
Non-Contact Optical Surface Profiling 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試系統(tǒng)

VersaSCAN OSP整合定位系統(tǒng)和高精度，高速度激光位移傳感器。 OSP 技術(shù)使用漫反射機理用于樣品的表面形貌。OSP可作為非常靈敏水平的機制用于表面形貌測量，，或繪制地形圖與其它掃描探針技術(shù)一起應(yīng)用于樣品表面定距離掃描測試。